ASTM F 1260M-1996 集成电路金属喷镀总量和电迁移中值失效时间的评定标准试验方法(米制单位)
作者:标准资料网
时间:2024-05-16 20:10:13
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforEstimatingElectromigrationMedianTime-to-FailureandSigmaofIntegratedCircuitMetallizations[Metric]
【原文标准名称】:集成电路金属喷镀总量和电迁移中值失效时间的评定标准试验方法(米制单位)
【标准号】:ASTMF1260M-1996
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电压;试验;电流;微电器件;失效时间;空气应力温度;密度应力;电迁移;电迁移中值时间;试验结构;电子探测器;故障端点;器件;总量;应力;集成电路;喷镀金属;缺陷与故障;高温试验;硅半导体;加速老化
【英文主题词】:electricalengineering;voltage;integratedcircuits;tests;sigma;testing;currents;semiconductorengineering;metallization
【摘要】:
【中国标准分类号】:L55
【国际标准分类号】:31_200;17_220_20
【页数】:8P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:集成电路金属喷镀总量和电迁移中值失效时间的评定标准试验方法(米制单位)
【标准号】:ASTMF1260M-1996
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电压;试验;电流;微电器件;失效时间;空气应力温度;密度应力;电迁移;电迁移中值时间;试验结构;电子探测器;故障端点;器件;总量;应力;集成电路;喷镀金属;缺陷与故障;高温试验;硅半导体;加速老化
【英文主题词】:electricalengineering;voltage;integratedcircuits;tests;sigma;testing;currents;semiconductorengineering;metallization
【摘要】:
【中国标准分类号】:L55
【国际标准分类号】:31_200;17_220_20
【页数】:8P;A4
【正文语种】:英语
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